Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics, UV, λ sensibilidad máx. 720nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
OSI OptoelectronicsEspectros Detectados
Ultraviolet
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
720nm
Encapsulado
TO-8
Tipo de montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Número de Pines
1
Material del Diodo
Si
Altura
5.21mm
Diámetro
13.97mm
Fotosensibilidad de Pico
0.14A/W
Polarity
Reverse
Datos del producto
Fotodiodos OSI serie UV Enhanced
La serie UV Enhanced, de OSI Optoelectronics, son una gama de fotodiodos de silicio de UV mejorada. Esta serie incluye dos familias de fotodiodos independientes, canal de inversión y difuso planar. Ambas familias están diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético.
La familia de estructura de capa de inversión ofrece una eficiencia interna del 100%. Esta familia de fotodiodos ofrece alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruidos y tensiones de ruptura altas, y es ideal para medidas de luz de baja intensidad.
Los fotodiodos con la estructura difusa planar ofrecen una capacitancia más baja y tiempo de respuesta superior en comparación con la familia posterior de inversión. También muestran la linealidad de la corriente fotoeléctrica hasta una potencia de entrada de luz superior en comparación con los fotodiodos de capa de inversión.
Las aplicaciones adecuadas para la serie UV Enhanced incluye: control de contaminación, instrumentación médica, medidores de exposición UV, espectroscopios, purificación de agua y fluorescencia.
Características de la serie UV Enhanced:
Fotodiodos de silicio difuso planar o capas de inversión
Excelente respuesta a UV
Photodiodes, OSI Optoelectronics
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Fotodiodos OSI serie UV Enhanced
La serie UV Enhanced, de OSI Optoelectronics, son una gama de fotodiodos de silicio de UV mejorada. Esta serie incluye dos familias de fotodiodos independientes, canal de inversión y difuso planar. Ambas familias están diseñadas para una detección de ruido bajo en la zona de UV del espectro electromagnético.
La familia de estructura de capa de inversión ofrece una eficiencia interna del 100%. Esta familia de fotodiodos ofrece alta resistencia de derivación, bajo nivel de ruidos y tensiones de ruptura altas, y es ideal para medidas de luz de baja intensidad.
Los fotodiodos con la estructura difusa planar ofrecen una capacitancia más baja y tiempo de respuesta superior en comparación con la familia posterior de inversión. También muestran la linealidad de la corriente fotoeléctrica hasta una potencia de entrada de luz superior en comparación con los fotodiodos de capa de inversión.
Las aplicaciones adecuadas para la serie UV Enhanced incluye: control de contaminación, instrumentación médica, medidores de exposición UV, espectroscopios, purificación de agua y fluorescencia.
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