Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics PIN, IR, λ sensibilidad máx. 970nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 2 pines
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Number of Pins
1
Nivel de presión acústica
105dB/mW
Material del Diodo
Si
Polarity
Reverse
Espectros Detectados
Infrarrojo
Altura
0.205in
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Fotosensibilidad de Pico
0.6A/W
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
970nm
Tipo de montaje
Through Hole
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Encapsulado
TO-8
Diámetro
13.97mm
Typical Rise Time
475ns
Serie
PIN
Brand
OSI OptoelectronicsPaís de Origen
United States
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€ 58,443
Each (Supplied in a Tray) (Sin IVA)
10
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Number of Pins
1
Nivel de presión acústica
105dB/mW
Material del Diodo
Si
Polarity
Reverse
Espectros Detectados
Infrarrojo
Altura
0.205in
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Fotosensibilidad de Pico
0.6A/W
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
970nm
Tipo de montaje
Through Hole
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Encapsulado
TO-8
Diámetro
13.97mm
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475ns
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