MOSFET onsemi VEC2315-TL-W, VDSS 60 V, ID 2,5 A, SOT-28FL, VEC8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-28FL, VEC8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
194 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Profundidad
2.3mm
Longitud
2.9mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.73mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
194 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Profundidad
2.3mm
Longitud
2.9mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
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