Transistor Darlington, TIP33CG, NPN 10 (Continuous) A, 15 (Peak) A, 100 V dc, Único, HFE:20, TO-218, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 (Continuous) A, 15 (Peak) A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V cc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-218
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.7mA
Altura
20.35mm
Profundidad
4.9mm
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
15.2mm
Corriente de base
3A
País de Origen
China
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| 1020 - 2490 | € 1,045 | € 31,36 |
| 2520+ | € 1,044 | € 31,32 |
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10 (Continuous) A, 15 (Peak) A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V cc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-218
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.7mA
Altura
20.35mm
Profundidad
4.9mm
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Temperatura Máxima de Operación
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