Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
500
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
3.5 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
2mA
Altura
5.3mm
Profundidad
16.26mm
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
21.08 x 16.26 x 5.3mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
21.08mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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€ 0,976
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
500
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
3.5 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
2mA
Altura
5.3mm
Profundidad
16.26mm
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
21.08 x 16.26 x 5.3mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
21.08mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
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