Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.5mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.75mm
Altura
4.82mm
Profundidad
10.28mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
10
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ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.5mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
15.75mm
Altura
4.82mm
Profundidad
10.28mm
Dimensiones del Cuerpo
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
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Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.