Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.5mA
Longitud
10.67mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.51mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
50
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
2
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.5mA
Longitud
10.67mm
Ancho
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.51mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.