Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.05mA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
9.28mm
Dimensiones
10.28 x 4.82 x 9.28mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.28mm
Profundidad
4.82mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Corriente Máxima Continua del Colector
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Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.05mA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
9.28mm
Dimensiones
10.28 x 4.82 x 9.28mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.28mm
Profundidad
4.82mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
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