Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.05 to 0.13mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
0.7pF
Capacidad Fuente-Puerta
0.3pF
Dimensiones del Cuerpo
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Longitud:
1.07mm
Altura
0.41mm
Profundidad
0.67mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.05 to 0.13mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
0.7pF
Capacidad Fuente-Puerta
0.3pF
Dimensiones del Cuerpo
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Longitud:
1.07mm
Altura
0.41mm
Profundidad
0.67mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.