Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
4pF
Dimensiones
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Altura
0.41mm
Ancho
0.68mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.08mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,209
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Empaque de Producción (Rollo)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,209 | € 10,43 |
500 - 950 | € 0,18 | € 9,00 |
1000 - 2450 | € 0,156 | € 7,81 |
2500 - 4950 | € 0,137 | € 6,86 |
5000+ | € 0,125 | € 6,26 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-883
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
4pF
Dimensiones
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Disipación de Potencia Máxima
100 mW
Altura
0.41mm
Ancho
0.68mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.08mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.