Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
25 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120, 160
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, hasta 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,286 | € 2,86 |
100 - 240 | € 0,259 | € 2,59 |
250 - 490 | € 0,239 | € 2,39 |
500 - 990 | € 0,218 | € 2,18 |
1000+ | € 0,204 | € 2,04 |
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NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
25 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120, 160
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, hasta 30 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.