Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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P.O.A.
3000
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3000
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
65 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
380 mW
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China