Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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P.O.A.
3000
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3000
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PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-45 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC