Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

onsemi N-Channel MOSFET, 70 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RFP70N06

Código de producto RS: 841-312Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: RFP70N06
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 20 V

Ancho

4.83mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.67mm

Altura

9.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Te podría interesar
MOSFET de potencia canal N,RFP70N03 70A
Price on askingEach (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 2,05

€ 2,05 Each (Sin IVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 70 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RFP70N06
Seleccionar tipo de embalaje

€ 2,05

€ 2,05 Each (Sin IVA)

onsemi N-Channel MOSFET, 70 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB RFP70N06
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9€ 2,05
10+€ 1,77

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Te podría interesar
MOSFET de potencia canal N,RFP70N03 70A
Price on askingEach (Sin IVA)

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 20 V

Ancho

4.83mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.67mm

Altura

9.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Te podría interesar
MOSFET de potencia canal N,RFP70N03 70A
Price on askingEach (Sin IVA)