Par Darlington, NZT605, NPN 1,5 A, 110 V, HFE:200, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
110 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.8 V
Maximum Collector Base Voltage
140 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10nA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.8 V
Maximum Collector Base Voltage
140 V
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Corriente de Corte Máxima del Colector
10nA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
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