Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

Código de producto RS: 195-8771Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NXH100B120H3Q0STG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

186 W

Tipo de Encapsulado

Q0BOOST

Configuration

Dual

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Transistor Configuration

Dual

Dimensiones

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-40 ºC

Ancho

32.8mm

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Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble
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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

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1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 80,29
2€ 156,22
3€ 234,33
4€ 312,44
5€ 390,55
6€ 456,32
7€ 532,37
8€ 608,42
9€ 684,47
10€ 760,53
11€ 836,58
12€ 889,33
13€ 963,45
14€ 1.037,56
15€ 1.111,67

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Tipo de Encapsulado

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Configuration

Dual

Tipo de montaje

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Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

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