Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
186 W
Tipo de Encapsulado
Q0BOOST
Configuration
Dual
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
22
Transistor Configuration
Dual
Dimensiones del Cuerpo
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Ancho
32.8mm
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€ 69,936
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