MOSFET onsemi NVMYS025N06CLTWGOS, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
21,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
43 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.25mm
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,8 a 10 V NC
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.15mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 0,304
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
4.25mm
Largo
5mm
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Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
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