MOSFET onsemi NVMYS011N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
28 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,9 nC a 10 V
Altura
1.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
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€ 0,34
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Conteo de Pines
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,9 nC a 10 V
Altura
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