MOSFET onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Altura
1.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
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€ 0,699
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Altura
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