Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
224 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN8 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
91 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 3,199
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
91 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V