Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
NVMFS6H818N
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
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P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
NVMFS6H818N
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101