MOSFET onsemi NVMFS5C456NT1G, VDSS 40 V, ID 80 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-4303Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMFS5C456NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

55000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Longitud

5.1mm

Altura

1.05mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Malaysia

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MOSFET onsemi NVMFS5C456NT1G, VDSS 40 V, ID 80 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

1500

Disponible en múltiplos de 1500
1500P.O.A.
3000P.O.A.
4500P.O.A.
6000P.O.A.
7500P.O.A.
9000P.O.A.
10500P.O.A.
12000P.O.A.
13500P.O.A.
15000P.O.A.
16500P.O.A.
18000P.O.A.
19500P.O.A.
21000P.O.A.
22500P.O.A.

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Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

55000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Longitud

5.1mm

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1.05mm

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