Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Longitud
5.1mm
Serie
NVMFS5C404NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.05mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 3,666
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
2
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,666 | € 7,33 |
10 - 18 | € 3,263 | € 6,53 |
20 - 48 | € 2,913 | € 5,83 |
50 - 98 | € 2,755 | € 5,51 |
100+ | € 2,685 | € 5,37 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Longitud
5.1mm
Serie
NVMFS5C404NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.05mm
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