MOSFET onsemi NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Dual
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Longitud
6.1mm
Ancho
5.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.05mm
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€ 0,517
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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8
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31,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Transistor Configuration
Dual
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Longitud
6.1mm
Ancho
5.1mm
Temperatura Mínima de Operación
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