MOSFET onsemi NVMFD5C478NT1G, VDSS 40 V, ID 27 A, DFN de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
23 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,3 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
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€ 0,743
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
23 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,3 nC a 10 V
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