MOSFET onsemi NVMFD5C478NLT1G, VDSS 40 V, ID 29 A, DFN de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
23 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,1 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
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€ 0,731
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Número de Elementos por Chip
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Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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