Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
18000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Serie
NVD5C688NL-D
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,636
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
18000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 10 V
Altura
2.38mm
Serie
NVD5C688NL-D
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto