MOSFET onsemi NVD5C684NL, VDSS 60 V, ID 38 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24,3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
27 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,6 nC a 10 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
2.38mm
Serie
NVD5C684NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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1
Tensión de diodo directa
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Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
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