MOSFET onsemi NVD5C464NT4G, VDSS 40 V, ID 59 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
6.22mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Altura
2.25mm
Serie
NVD5C464N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
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€ 0,726
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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20 nC a 10 V
Altura
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