MOSFET onsemi NTTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
68,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Profundidad
3.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
0.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
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€ 0,807
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
1500
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Transistor Configuration
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Profundidad
3.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
0.75mm
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