MOSFET onsemi NTS4173PG, VDSS 30 V, ID 1,3 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,1 nC a 10 V, 4,8 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.9mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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|---|---|---|
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| 50 - 100 | € 0,237 | € 5,94 |
| 125 - 225 | € 0,156 | € 3,89 |
| 250 - 475 | € 0,14 | € 3,51 |
| 500+ | € 0,139 | € 3,48 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,1 nC a 10 V, 4,8 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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