MOSFET onsemi NTR5198NLT1G, VDSS 60 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,1 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 4,24
€ 0,17 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
€ 4,24
€ 0,17 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
25
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,17 | € 4,24 |
| 100 - 225 | € 0,147 | € 3,66 |
| 250 - 475 | € 0,127 | € 3,17 |
| 500 - 975 | € 0,112 | € 2,80 |
| 1000+ | € 0,102 | € 2,54 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,1 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products