MOSFET onsemi NTR4501NG, VDSS 20 V, ID 3.2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 60 - 118 | € 0,362 | € 0,72 |
| 120 - 198 | € 0,309 | € 0,62 |
| 200 - 498 | € 0,292 | € 0,58 |
| 500+ | € 0,28 | € 0,56 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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