MOSFET onsemi NTR4171PG, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 125 - 225 | € 0,313 | € 7,82 |
| 250 - 475 | € 0,306 | € 7,65 |
| 500+ | € 0,297 | € 7,41 |
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Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
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