Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
$ 8,68
$ 0,347 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
$ 8,68
$ 0,347 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
25
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 75 | $ 0,347 | $ 8,68 |
100 - 225 | $ 0,299 | $ 7,47 |
250 - 475 | $ 0,26 | $ 6,49 |
500 - 975 | $ 0,229 | $ 5,72 |
1000+ | $ 0,207 | $ 5,18 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto