MOSFET onsemi NTR1P02G, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,5 nC a 5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 100 - 198 | € 0,316 | € 0,63 |
| 200 - 498 | € 0,257 | € 0,52 |
| 500 - 998 | € 0,246 | € 0,49 |
| 1000+ | € 0,228 | € 0,46 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,5 nC a 5 V
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