MOSFET onsemi NTR1P02LG, VDSS 20 V, ID 1,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
350 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.25V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,1 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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200
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,118 | € 23,62 |
| 400 - 800 | € 0,109 | € 21,75 |
| 1000 - 1800 | € 0,102 | € 20,35 |
| 2000+ | € 0,094 | € 18,71 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
350 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.25V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,1 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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