Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China
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€ 5,216
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 5,216
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 5,216 | € 260,80 |
100+ | € 4,955 | € 247,76 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.12mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China