MOSFET onsemi NTP2955G, VDSS 60 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
196 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
62,5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.28mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Profundidad
4.82mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.28mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
196 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
62,5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.28mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Profundidad
4.82mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
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