MOSFET onsemi NTMYS7D3N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 52 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 4,5 V
Profundidad
4.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
1.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 1,263
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 nC a 4,5 V
Profundidad
4.25mm
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