MOSFET onsemi NTMYS021N06CLTWGOS, VDSS 60 V, ID 27 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 195-2534Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMYS021N06CLTWG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

27 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

28 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.25mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5 nC a 10 V

Altura

1.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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€ 1,705

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTMYS021N06CLTWGOS, VDSS 60 V, ID 27 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000€ 5.113,65
6000€ 10.227,30
9000€ 15.340,95
12000€ 20.454,60
15000€ 25.568,25
18000€ 30.681,90
21000€ 35.795,55
24000€ 40.909,20
27000€ 46.022,85
30000€ 51.136,50
33000€ 56.250,15
36000€ 61.363,80
39000€ 66.477,45
42000€ 71.591,10
45000€ 76.704,75

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Tipo de montaje

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4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

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4.25mm

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