Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
313 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
143 a 10 V NC
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.9mm
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 2,187
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
143 a 10 V NC
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.9mm
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V