Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Profundidad
5.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.1mm
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€ 2,183
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,183 | € 10,92 |
10 - 95 | € 1,838 | € 9,19 |
100 - 245 | € 1,452 | € 7,26 |
250 - 495 | € 1,396 | € 6,98 |
500+ | € 1,219 | € 6,09 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Profundidad
5.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.1mm