Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
89 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5H600NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 7,238
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 7,238
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 7,238 | € 36,19 |
50 - 120 | € 4,532 | € 22,66 |
125 - 245 | € 3,993 | € 19,96 |
250 - 495 | € 3,895 | € 19,47 |
500+ | € 3,792 | € 18,96 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
89 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5H600NL
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto