MOSFET onsemi NTMFS5C682NLT1G, VDSS 60 V, ID 25 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-8347Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMFS5C682NLT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

28 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5 nC a 10 V

Longitud

6.1mm

Altura

1.05mm

Serie

NTMFS5C682NL

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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P.O.A.

MOSFET onsemi NTMFS5C682NLT1G, VDSS 60 V, ID 25 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

1500

Disponible en múltiplos de 1500
1500P.O.A.
3000P.O.A.
4500P.O.A.
6000P.O.A.
7500P.O.A.
9000P.O.A.
10500P.O.A.
12000P.O.A.
13500P.O.A.
15000P.O.A.
16500P.O.A.
18000P.O.A.
19500P.O.A.
21000P.O.A.
22500P.O.A.

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onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

28 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5 nC a 10 V

Longitud

6.1mm

Altura

1.05mm

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