Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
106 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC @ 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C430N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,992
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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N
Maximum Continuous Drain Current
185 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
106 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC @ 10 V
Altura
1.05mm
Serie
NTMFS5C430N
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto