MOSFET onsemi NTMFD5C470NLT1G, VDSS 40 V, ID 36 A, DFN de 8 pines, 2elementos

Código de producto RS: 178-4313Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMFD5C470NLT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

24000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4 nC a 4,5 V

Altura

1.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Malaysia

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N

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

11.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

24000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

6.1mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4 nC a 4,5 V

Altura

1.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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