Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,65 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
0.8V
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
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P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
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Especificaciones
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onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
145 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,65 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 4,5 V
Ancho
6.1mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
0.8V
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia