MOSFET onsemi NTMD5838NLRG, VDSS 40 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
36 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
36 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
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Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
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